寧波森利電子材料有限公司

寧波森利鋁摻雜氧化鋅(AZO)

產(chǎn)品詳情應(yīng)用領(lǐng)域：節(jié)能玻璃、智能玻璃、薄膜太陽能電池性能參數(shù) 典型數(shù)值生產(chǎn)工藝 粉末冶金方法成型，多個(gè)靶管/靶塊拼接貼合為AZO靶材成品。主要成分 98wt%ZnO + 2wt%Al2O3 (注：根據(jù)客戶的需求，可提供Al2O3摻雜量在0.06~3wt%的AZO靶材)純度 >99.95wt%密度 >5.52 g/cm3電阻率 ≤ 3×10-3 ?·cm金屬雜質(zhì)含量 Fe ≤50ppm, Si ≤8

2017-11-02 面議/個(gè)

寧波森利JZO濺射靶材

產(chǎn)品詳情?應(yīng)用領(lǐng)域：節(jié)能玻璃、智能玻璃、觸摸屏?性能?參數(shù) 典型數(shù)值 ?生產(chǎn)工藝 粉末冶金方法成型，多個(gè)靶管/靶塊拼接貼合為靶材成品。 主要成分 ZnO based material 純度 >99.95wt% 密度 >5.50 g/cm3 電阻率 ≤7×10-3 ?·cm 金屬雜質(zhì)含量 Fe ≤50ppm, Si ≤80ppm, Na ≤20ppm, Pb ≤30ppm, others ≤50pp

2017-11-02 面議/個(gè)

寧波森利硅鋁（SiAl）旋轉(zhuǎn)靶

產(chǎn)品詳情?應(yīng)用領(lǐng)域：觸摸屏、顯示器、薄膜太陽能?性能?參數(shù) 典型數(shù)值 ?生產(chǎn)工藝 等離子熱噴涂 主要成分 90wt% Si+10wt% Al?92wt% Si + 8wt% Al 純度 >99.9wt% 密度 ≥2.2g/cm3 電阻率 ?·cm 金屬雜質(zhì)含量 Fe≤200ppm, Ni≤50ppm, Cu≤50ppm.?Total≤1000ppm 氣體雜質(zhì)含量 O≤6000ppm, N≤1000

2017-11-02 面議/件

寧波森利鉬(Mo)旋轉(zhuǎn)靶材

產(chǎn)品詳情?應(yīng)用領(lǐng)域：觸摸屏、顯示器、薄膜光伏?性能?參數(shù) 典型數(shù)值 ?生產(chǎn)工藝 粉末冶金方法成型，多個(gè)靶管/靶塊拼接貼合為靶材成品。 主要成分 Mo 純度 >99.95wt% 密度 ≥10.0g/cm3 金屬雜質(zhì)含量 Fe ≤50ppm, Ni ≤50ppm, Cu ≤30ppm, Al ≤50ppm, Si ≤60ppm, W ≤100ppm, other ≤30ppm.?Total ≤500p

2017-11-02 面議/件

寧波森利硅（Si）旋轉(zhuǎn)靶材

產(chǎn)品詳情?應(yīng)用領(lǐng)域：觸摸屏、顯示器、薄膜太陽能?性能?參數(shù) 典型數(shù)值 ?生產(chǎn)工藝 等離子熱噴涂 主要成分 Si 純度 >99.99wt% 密度 ≥2.2g/cm3 電阻率 ?·cm 金屬雜質(zhì)含量 Fe≤100ppm, Cu≤10ppm, Al≤20ppm.?Total≤100ppm 氣體雜質(zhì)含量 O≤2500ppm, N≤500ppm 靶材尺寸 Maximal OD: 151mm，Length:

2017-10-26 面議/個(gè)