? 1、設(shè)備名稱:ATON 1600 真空磁控濺射鍍膜線 2、產(chǎn)地:美國應(yīng)用材料公司 3、功能:該系統(tǒng)專門針對光伏太陽能所需要的SIN層鍍膜設(shè)計(jì),分為7個(gè)真空室:進(jìn)料室、緩沖室、傳輸過渡室、濺射室1+濺射室2、傳輸過渡室、緩沖室、出料室。系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)嚴(yán)格,采用分子泵高真空機(jī)組,配備高濺射效率的平面靶或旋轉(zhuǎn)靶,采用直流濺射。 設(shè)備也可以應(yīng)用在ITO膜、SIO2膜、金屬膜,應(yīng)用于如太陽能、LO
2015-10-12 面議/臺(tái)旋轉(zhuǎn)陰極 特點(diǎn): 1、采用獨(dú)特的磁路設(shè)計(jì),突破傳統(tǒng)模式,更符合磁控濺射的理念。 2、采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),冷卻充分,可滿足大功率、大電流使用要求。 3、更高的濺射率,離子密度更強(qiáng)。 4、更高的利用率,高達(dá)70以上。 5、尺寸范圍:靶材外尺寸70、100、150、250,保持一致的均勻性 6、使用范圍:如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等。 ? 使用領(lǐng)域:裝飾鍍、工具鍍、ITO
2015-10-12 0大平面濺射陰極 特點(diǎn): 1、?采用獨(dú)特的磁路設(shè)計(jì),突破傳統(tǒng)模式,更符合磁控濺射的理念。 2、?采用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可以內(nèi)置、外置,更符合使用要求。 3、磁鐵不被冷卻水包圍,減少腐蝕,且保證磁力線的有效曲線分布。 4、獨(dú)特的布?xì)夥绞剑颖D訛R射的均勻性,其等離子狀態(tài)更加平衡。 5、?更高的濺射率,離子密度更強(qiáng)。 6、?更高的利用率,高達(dá)40%以上。 7、?尺寸范圍:可在300-3
2015-10-12 0一、公司現(xiàn)有設(shè)備介紹: 1、德國馮阿登納真空濺射鍍膜流水線(VON ARDENNE WM 60),該設(shè)備有7個(gè)真空箱體,連續(xù)式鍍膜方式,配備4個(gè)陰極濺射,可鍍工件尺寸:1200mm*600mm ,配套冷水機(jī)組,全自動(dòng)過程及工藝控制。 2、美國應(yīng)用材料真空磁控鍍膜流水線(APPLIED? MATERIALS),該設(shè)備有5個(gè)真空箱體,連續(xù)式鍍膜方式,配備4個(gè)陰極濺射,可鍍工件尺寸:1800mm*1
2015-10-12 01、英文名稱:VON ARDENNE WM 60 HCM INLINE-SPUTTERANLAGE 2、中文名稱:馮阿登納真空濺射鍍膜流水線 3、產(chǎn)地:德國 4、規(guī)格:WM 60 5、功能:適合玻璃連續(xù)鍍膜,如太陽能、LOW-E、裝飾性膜層,另可以使用于壓克力,不銹鋼板,特殊材料表面處理等。 6、簡要介紹: 6.1、主體結(jié)構(gòu):7組真空箱體,連續(xù)式,長度12.6米 6.2、真空泵
2015-10-12 0ITO導(dǎo)電玻璃真空鍍膜流水線 該系統(tǒng)專門針對玻璃鍍ITO膜設(shè)計(jì),分為9個(gè)真空室:進(jìn)料室、輝光清洗室、過渡室、SIO2濺射室、過渡室、ITO濺射室、傳輸室、緩沖室、出料室。系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)嚴(yán)格,采用分子泵高真空機(jī)組,可配備高濺射效率的平面靶或旋轉(zhuǎn)靶,采用直流濺射或中頻濺射,可以率的濺射AL膜、ITO膜、SIO2膜、銀膜、鉻膜、TiO膜等。 一、工藝膜系: 單面結(jié)構(gòu):Glass/ ITO/SiO2/
2015-10-12 面議/套預(yù)真空室具有雙層基片承載盤升降機(jī),使得裝卸基片和濺射工藝同時(shí)進(jìn)行,從而實(shí)現(xiàn) “in-line”連續(xù)在線工作方式。由上至下濺射方式,12”x12”尺寸的基片承載盤,可放置不同尺寸及形狀的基片;休d盤單次/多次掃描沉積方式,準(zhǔn)確地控制沉積膜的厚度,不需要膜厚檢測器,避免了因膜厚檢測器的測量誤差以及傳感器的消耗,節(jié)省了運(yùn)行成本。生產(chǎn)量:9個(gè)4” 基片/次,6個(gè)6” 基片/次,1個(gè)12” 基片/次。
2015-10-12 0預(yù)真空室具有雙層基片承載盤升降機(jī),使得裝卸基片和濺射工藝同時(shí)進(jìn)行,從而實(shí)現(xiàn) “in-line”連續(xù)在線工作方式。由上至下濺射方式,12”x12”尺寸的基片承載盤,可放置不同尺寸及形狀的基片;休d盤單次/多次掃描沉積方式,準(zhǔn)確地控制沉積膜的厚度,不需要膜厚檢測器,避免了因膜厚檢測器的測量誤差以及傳感器的消耗,節(jié)省了運(yùn)行成本。生產(chǎn)量:9個(gè)4” 基片/次,6個(gè)6” 基片/次,1個(gè)12” 基片/次。
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