硅靶材Si一氧化硅靶材SiO磁控濺射靶材

科研實驗專項使用硅靶材Si一氧化硅靶材SiO磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

硅是地球上儲藏豐富的材料之一，熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。單晶硅主要用于制作半導體元件

產(chǎn)品參數(shù)

中文名硅 元素符號Si

原子量28.0855 沸點 2900℃

熔點 1414℃ 密度 2.33g/cm3

產(chǎn)品介紹

一氧化硅(SiO)常溫常壓下為黑棕色至黃土色無定形粉末，難溶于水，熔點：1702°C，沸點：1880°C，密度2.13g/cm³，一氧化硅不太穩(wěn)定，在空氣中會氧化成二氧化硅膜而鈍化，僅在高于1200℃才穩(wěn)定；在氧氣

中燃燒，和水反應生成氫氣。一氧化硅微粉末因較富有活性，可作為精細陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精細陶瓷粉末原料；用作光學玻璃和半導體材料的制備；在真空中將其蒸發(fā)，涂在光學儀器用的金屬反射鏡面上，作為保護膜；半導體材料的制備。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 一氧化硅 化學式 SiO 分子量 44.08

熔點 1702℃ 沸點 1880℃ 密 度 2.13g/cm3

純度 99.99%

支持合金靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價��！

服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制�？蒲袉挝回浀礁犊�，質量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設備

質量控制：嚴格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢驗手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢驗→包裝出庫

北京晶邁中科材料技術有限公司創(chuàng)建于2016年,是國內有色金屬行業(yè)綜合性研究開發(fā)公司。 現(xiàn)有員工100余人。我公司光學鍍膜材料中心以國內的技術，多年來一直有經(jīng)驗從事光學鍍膜材料及濺射靶材的研發(fā)與生產(chǎn)。靶材包括各種氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、復合物、金屬及合金等，也可根據(jù)您的要求量身定做。通過嚴格控制生產(chǎn)、并持續(xù)改進、穩(wěn)步發(fā)展，致力為客戶提供的產(chǎn)品。 公司現(xiàn)有靶材熱壓爐；真空蒸餾裝置，電解槽，單晶爐，區(qū)熔裝置，CVD（化學氣象沉積）裝置，PVD（物理氣象沉積）裝置，移動式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產(chǎn)研發(fā)設備；提純工藝包括：真空蒸餾；精餾；區(qū)域熔煉；電解；化學氣象沉積；物理氣象沉積；熱擴散；單晶提拉法等。純度從99.9%-99.99999%,公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品，產(chǎn)品涉及工具/裝飾鍍膜、玻璃鍍膜、光學鍍膜、平面顯示/觸摸屏鍍膜、薄膜太陽能鍍膜等多個領域廣泛應用到國內外眾多知名太陽能、航空航天、生物健康、軍工微電子、信息儲存、汽車、船舶、裝飾、工業(yè)鍍膜、新能源企業(yè)當中。 自有設備：真空熱壓爐，真空中頻感應熔煉爐，冷坩堝懸浮熔煉爐，非自耗真空電弧爐，真空高溫加熱爐，真空燒結爐，真空蒸餾爐，定向凝固，區(qū)域熔煉爐，多溫區(qū)加熱爐，單晶爐，高溫燒結爐，單溫區(qū)，雙溫區(qū)、多溫區(qū)液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設備。 北京晶邁中科材料技術有限公司幾年來已先后與國內幾十家知名高校、中科院等研究院所建立了長期友好的合作關系，并與這些科研單位有密切的學術交流和技術合作項目，并遠銷歐洲、美國、日本、韓國等，在鍍膜行業(yè)擁有良好的聲譽。

地區(qū)：北京 北京 通州區(qū)
網(wǎng)址: http://jingmaizhongke.glass.com.cn

產(chǎn)品屬性：
計量單位：件 供貨總量：10000 最小起訂量：1 產(chǎn)品單價：1000.00 品牌： 規(guī)格型號： 包裝說明：