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供應(yīng)4000A(400nm)植入式柵較氧化固態(tài)劑量計(jì)

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    發(fā)布公司:北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司

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    聯(lián)系人:舒女士

    發(fā)貨地點(diǎn):北京 北京 北京市

    發(fā)布時(shí)間:2024年04月22日

    有效期至:2025年06月11日

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    產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:

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基本信息

4000A(400nm)植入式柵極氧化固態(tài)劑量計(jì)

技術(shù)要求

典型數(shù)值在27°C

氧化層厚度4000A

輻射Vth靈敏度

輻射場(chǎng)= 0.125 MV/cm : 靈敏度= 1.33mV/rad 輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.463mV/rad (靈敏度在 1.5 krad(H2O),在以下讀寫器的配置中使用一個(gè)恒量10µA)

溫度補(bǔ)償

TVTC 2.5mV/°C(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.)

線性模式中Z.T.C. 數(shù)值~ -500nA(Vs=Vb=0, Vds=-0.1)

飽和模式中Z.T.C.數(shù)值~ -1µA(使用以下讀寫器電路配置)

預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)

閾值電壓(外推) -1.0 /- 0.4V

Vth漂移時(shí)間(秒) 2.5mV/十年(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強(qiáng)迫40µA)

氧化層擊穿電壓~280V

溝道漏電流 Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 25 pA

亞閾值斜率220 /- 20 mV/decade

溝道電阻 Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.75 Mohms

福坦尼斯亞洲有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、同軸高純鍺探測(cè)器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測(cè)器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測(cè)器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀(現(xiàn)場(chǎng)使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測(cè)器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。

北京華恒鑫達(dá)科技發(fā)展有限公司基本信息

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供應(yīng)4000A(400nm)植入式柵較氧化固態(tài)劑量計(jì)產(chǎn)品概況

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