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【中玻網(wǎng)】所謂智能玻璃通常是指利用電致變色原理,由基體玻璃和電致變色系統(tǒng)構(gòu)成的電致變色智能玻璃,又稱智能窗,機(jī)敏窗口或靈巧窗口。這種玻璃在外電場(chǎng)的作用下,會(huì)引起顏色的可逆變化,從而可在非常大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)其對(duì)光的吸收、透過和反射三者的比例關(guān)系,因而它是一種光、熱可調(diào)性材料,不僅可用作大面積數(shù)字、文字和圖像顯示裝置、光通量電子調(diào)節(jié)閥,還可用于圖像記錄、信息處理、光記憶、光開關(guān)、全息照相、裝飾材料和安全防護(hù)材料。
智能玻璃窗具有的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)功能基本原理為:當(dāng)作用在智能窗上的光強(qiáng)、光譜組成、溫度、熱量、電場(chǎng)或電流產(chǎn)生變化時(shí),智能窗的光學(xué)性能將發(fā)生相應(yīng)的變化,在部分或全部太陽能光譜范圍內(nèi)從一個(gè)高透態(tài)變?yōu)椴糠址瓷浠蛭諔B(tài),也可根據(jù)需要?jiǎng)討B(tài)的控制穿透窗戶的能量。根據(jù)作用原理,智能窗的材料有電致變色、光致變色和熱致變色等多種類型。電致變色智能玻璃是其中發(fā)展較快、較有潛力的智能玻璃,自20世紀(jì)60年代Platt提出電致變色的概念以后,一直是材料科學(xué)界研究的熱點(diǎn)。
智能玻璃的制備方法:
智能玻璃的制備過程首先是在兩塊玻璃基片上形成透明導(dǎo)電層,再在其中一塊的透明導(dǎo)電層上形成電致變色層,在另一塊的透明導(dǎo)電層上形成離子儲(chǔ)存層,然后將離子導(dǎo)體(即電解質(zhì))涂在上述電致變色層和離子儲(chǔ)存層外側(cè),再組合起來,將導(dǎo)線與透明導(dǎo)電層連接,并配上適當(dāng)?shù)拇翱颉8鲗幽さ暮穸纫暰唧w情況而定,一般以100~500nm為佳,為防止出現(xiàn)小孔及電子穿透,離子導(dǎo)體應(yīng)足夠厚(大于數(shù)十納米),而為能儲(chǔ)存所需的離子,離子存儲(chǔ)膜也要有一定的厚度。但總膜層厚度通常小于2”m。
(1)透明導(dǎo)電層的制備方法透明導(dǎo)電層是在1~2mm厚的拋光平板玻璃上形成透明
的導(dǎo)電薄膜,形成薄膜的方法有浸涂、噴涂和蒸發(fā)等。目前主要用含有10%Sn02的In203進(jìn)行真空蒸發(fā)涂膜,再用電子束加熱和氧化而制成。透明導(dǎo)電層的厚度一般為200~500nm。日本旭硝子公司采用離子輔助濺射的方法,已經(jīng)能夠制造出面積2m2,電阻為1Q的高質(zhì)量的ITO薄膜,Pilkington公司采用化學(xué)氣相沉積法在浮法玻璃生產(chǎn)線上制造出氧化錫透明導(dǎo)電膜。
(2)電致變色層和離子儲(chǔ)存層的制備方法無機(jī)電致變色層的制備方法可分為干法和濕法兩類。干法包括真空蒸發(fā)、化學(xué)氣相沉積、電子束蒸發(fā)和反應(yīng)性濺射等,應(yīng)用較多的是真空蒸發(fā)法和電子束蒸發(fā)法。該法的優(yōu)點(diǎn)是制得的膜結(jié)構(gòu)致密,均勻性好,與襯底黏附性好,缺點(diǎn)是制備大面積的設(shè)備比較復(fù)雜,膜的價(jià)格較高。
濕法包括電化學(xué)法、浸涂法和溶膠一凝膠法等,它的優(yōu)點(diǎn)是易獲得較好的電色性,制備大面積膜層較易。缺點(diǎn)是膜的結(jié)構(gòu)較松散,膜與襯底的黏結(jié)性差,膜層中含水或其他溶劑較多,特別是浸涂法和溶膠一凝膠法含水或溶劑多,在干燥時(shí)膜層容易變形甚至開裂,厚度也不易控制。電致變色層和離子儲(chǔ)存層的厚度需根據(jù)調(diào)光和調(diào)熱的范圍來確定。
(3)離子導(dǎo)體層的制備方法液體電解質(zhì)采用封裝的方法,無機(jī)固體電解質(zhì)采用蒸發(fā)或?yàn)R射法。由于它們本身基本上沒有黏結(jié)力,故一般需用透明黏合劑進(jìn)行黏結(jié)。采用高聚物電解質(zhì)大部分都具有黏性,可以不再用黏合劑。高聚物電解質(zhì)的制備一般是先將該高聚物的單體涂在電致變色層和離子儲(chǔ)存層外側(cè),然后加熱聚合,趁熱將上述兩層粘合起來,保溫放置一定時(shí)間即可。
理想的電致變色智能玻璃其透射率或反射率在0~100%范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),開路記憶能力大于24h,響應(yīng)時(shí)間小于60s,循環(huán)工作周期大于105次(相當(dāng)于工作壽命15~20年),離子電導(dǎo)率大于10S/cm,電子電阻率大于1012Q·cm。
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