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氮化鉭(TaN)靶材 99.9%
訂貨量(片)
價(jià)格(不含稅)
1
3800.00元/片
供應(yīng)標(biāo)題:氮化鉭(TaN)靶材 99.9%
價(jià)格:電儀
發(fā)布公司:北京金源新材科技有限公司
供貨總量:100
聯(lián)系人:張文明
發(fā)貨地點(diǎn):北京 北京 海淀區(qū)
發(fā)布時(shí)間:2024年07月01日
有效期至:2024年08月15日
在線詢盤:在線詢盤
產(chǎn)品綜合信息質(zhì)量:未計(jì)算
基本信息
氮化鉭(TaN)靶材 99.9%
氮化鉭陶瓷靶材是一種分子式為TaN的氮化物陶瓷濺射材料, 其熔點(diǎn)3090℃,密度14.3g/cm³。它有時(shí)用于在銅或其他導(dǎo)電金屬與介電絕緣膜(如熱氧化物)之間創(chuàng)建阻擋層或“膠水”層。這些薄膜在集成電路制造過程中沉積在硅片頂部,以創(chuàng)建薄膜表面貼裝電阻器和其他電子應(yīng)用。
氮化鉭 (TaN) 薄膜是一種有吸引力的擴(kuò)散阻擋涂層材料,用于電子工業(yè)。TaN薄膜是通過直流濺射、CVD和脈沖激光沉積等方法制造的。在這項(xiàng)研究中,為了降低能源成本,在低真空條件下通過反應(yīng)濺射將 TaN 薄膜沉積在 Si (111) 晶片、鈉玻璃基板上。N2/Ar 氣的質(zhì)量流量在 N2 氣下從 9% 到 23% 不等。在較低的 N2 氣流下,獲得結(jié)晶 TaN 薄膜。使用 XRD 在其他速率范圍內(nèi)觀察到非晶如 TaN 薄膜。通過 GDS 深度分析,在結(jié)晶 TaN 膜與 Si 晶片和玻璃基板之間觀察到 Ta 氧化物層。膜厚為200-400nm。
北京金源新材科技有限公司基本信息
員工人數(shù):10-50人 廠房面積: 年?duì)I業(yè)額:人民幣50萬元/年-人民幣100萬元/年
年進(jìn)口額:人民幣10萬元/年-人民幣30萬元/年 年出口額:人民幣10萬元/年-人民幣30萬元/年 主要市場:
客戶群:
公司名稱:北京金源新材科技有限公司
注冊(cè)資本:人民幣100萬元/年-人民幣200萬元/年 公司網(wǎng)址:http://ginsrc.glass.com.cn聯(lián)系人:張文明
電話:--51617358-
移動(dòng)電話:13520577626
傳真:86--51617357-
地址:北京市海淀區(qū)清河安寧莊東路18號(hào)
網(wǎng)址:http://ginsrc.glass.com.cn
地區(qū):北京 北京 海淀區(qū)
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