銅靶Cu,石墨靶C,硅靶Si,鐵靶Fe

ITO靶、AZO靶，氧化鎂靶、氧化鐵靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、硫化鎘靶，硫化鉬靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶，五氧化二鉭靶，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、氟化鎂靶，硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。真空鍍膜的功能是多方面的，這也決定了其應用場合非常豐富�？傮w來說，真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果，在薄膜材料上使膜層具有不錯的阻隔性能，提供不錯的電磁屏蔽和導電效果。

反應磁控濺射制備化合物薄膜的優(yōu)點：1.所用靶材和反應氣體是氧、氮、碳氫化合物等，通常容易獲得高純度制品，有利于制備高純度的化合物薄膜;2.通過調節(jié)工藝參數(shù)，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而可調控膜的特性;3.基板溫度不高，對基板限制少;4.適于大面積均勻鍍膜，實現(xiàn)工業(yè)化生產。據(jù)統(tǒng)計，存儲市場增速則達到57%，且中國一直長期是集成電路消費大國，一般都是包括主體型號、前綴、后綴等組成，成為業(yè)界追逐的一大風口，信息、通訊、消費電子及汽車電子等高等電子產品EMS、JDM、ODM為主。如二極管就是采用半導體制作的器件，缺“芯”已經稱為中國制造的一塊“芯”。計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。

在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。ITO片采用新型液態(tài)金屬印刷技術制成，厚度僅為1.5nm，可以沉積在各種基材上，然后可以像管一樣卷起來。氧化銦錫(ITO)導電膜具有良好的光學透光性能和導電性能，被廣泛應用于觸摸屏領域，它是電阻式與投射電容式觸控面板的基礎材料，其產業(yè)鏈下游市場為觸控模組和觸控面板。上游為光學級PET基膜、靶材和涂布液等化學原材料。從觸摸屏技術路線來看，分為掛式和內嵌式兩種。掛式電容屏技術有薄膜式和玻璃式兩種；內嵌式電容屏技術主要為In-cell和On-cell兩種。將ITO玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極。銀納米線導電膜：銀納米線是一種新興的ITO導電膜潛在替代品。

科技日報：ITO靶材屬于35項卡脖子技術之一。UVTM掌握濺射靶材生產的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等在國內處于****水平。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜，鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜，邦定：長4米靶材的邦定，3米管靶材邦定，大面積平面銅背板，鈦背板的邦定，綁定率高，超聲波探傷儀檢測4米管靶材邦定大面積邦定技術銅背板鈦背板邦定高綁定率能邦定G10.5代線。產地：廣州。材質：Ag、Cu晶粒度：100um產品用途：銀銅合金靶材主要用于真空濺射鍍膜。銀銅合金優(yōu)勢：有良好的導電性、流動性和浸潤性、較好的機械性能、硬度高。耐磨性和抗熔焊性。有偏析傾向。 基于理物相沉積(PVD)的濺射工藝具有薄膜純度高、成膜質量好、沉積速度快、工藝穩(wěn)定可靠等優(yōu)點，廣泛應用于集成電路生產制造中具有不可替代性。濺射沉積薄膜的原材料就是靶材，靶材的化學純度、籌備性能等直接決定了芯片中接觸層、介質層、互連層等薄膜的性能，從而影響電子產品的性能和壽命。芯片對濺射靶材的要求非常高，它要求靶材純度要達到5N(99.999%)以上。在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

高純真空濺射靶材可分為：高純金屬靶材、多元合金靶材、陶瓷濺射靶材、金屬膜電阻器用靶材。高純金屬靶材:鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、硼靶 B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶Si、鉭靶Ta、鋅靶Zn、鎂勒 Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鎳靶Ni、銀靶Ag、不銹鋼靶材等……多元合金靶材;鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr鎳鋁靶Ni-A1、鎳釩靶Ni-V 鎳鐵靶Ni-Fe、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……半導體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領域。

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質、氣體壓強、陰-陽極間距等。學者詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。一、靶面磁場對靶濺射電壓的影響。磁控靶的陰極工作電壓，隨著靶面磁場的增加而降低，也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的較好磁鋼的強磁場。因此，靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。當磁場強度增加到01T以上時，磁場強度對濺射電壓的影響就不明顯了。鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響，由于大部分磁力線從鐵磁性材料內部通過，使靶材表面磁場減少，需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強。否則磁性材靶材必須比非磁性材料要演，才能起輝和正常運行(永磁結構的Ni靶的典型值小于016cm，磁控靶非特殊設計較大值通常不宜超過3mmFeco靶的較大值不超過2mm;電磁結構的靶可以濺射厚一些的靶材，甚至可達6mm厚)才能正常運行。

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